如影随形

重要的发展：Tsinghua大学将开发出一种非常激烈的

发布时间：2025-08-01 08:48编辑：365bet体育注册浏览（50）

Home在7月26日报道说，随着合并的电路过程继续前进到7nm节点及以下，EUV光刻的长度为13.5 nm已成为实现高级芯片制造的一项主要技术。然而，在吸收效率，反应机制和缺陷控制方面，EUV光源的特征（例如便秘的重大损失和低亮度）引起了更高的光孔挑战。 Tsinghua University宣布，学校化学系Xu Huaping教授的团队已成为严重紫外线（EUV）光刻材料的重要开发 - 基于多晶烷（PTEO）的新光电蛋白天的开发，该材料为高级半多核电材料的主材料提供了新的设计方法。 ▲polytelluroxane：完美的euv光陶瓷材料，它发现相关结果于7月16日发表在“科学进步”中。这项研究提供了光电SIST设计路径，包括高ABS半导体。 Tsinghua说，当前的主流EUV光抗剂主要取决于增强化学或金属敏感簇以提高灵敏度的机制，但通常会面临诸如复杂结构，物质分布不平等，反应易于传播以及轻松引入随机缺陷等问题。如何打破这些瓶颈并建立一个精美的光孔系统，即当前EUV光刻材料领域的主要挑战。通常在学术界认为，优质的EUV光抗抗议所应同时具有以下四个主要要素：1）EUV吸收能力以降低暴露剂量并提高敏感性； 2）高能量利用效率，以确保轻巧的能量可以很好地转化为少量光孔材料的溶解度的变化； 3）分子尺度的均匀性，以防止由随机分布和D引起的缺乏噪声物质的假期； 4）尽可能小的建筑单元消除基本特征大小对分辨率的影响并降低线条粗糙度（LER）。长期以来，很少有材料系统同时获得了四个PAMIT。如今，Xu Huaping教授的研究团队已根据该团队在早期发明的多胸腺烷开发了全新的EUV光电师，并满足了上述的光孔状况。在这项研究中，团队通过TE - 键将吸收元素（TE）元素的元素（TE）元素直接引入。除了惰性气体氙（XE），radon（RN）和放射性元素Aster（AT）的元素外，Tellurium具有最高的EUV吸收，除了EUV吸收能力高于短期元素和金属元素，例如Zn，Zr，HF和SN，例如传统光泽西剂，这显着改善了重要的光照射剂的基本功能，该元素可显着改善PhotoRessuction，这是显着的Photoressuction，这是光照剂的基本功能。改善光蛋白抗菌的基本吸入，从而显着提高了光孔物剂的吸力的功效，从而显着提高了光孔物剂的突出的效率，从而显着提高了光孔剂的效率，从而显着提高了光孔派的效率，从而提高了光孔的效率，从而可以提高效率的效率，从而实现了实现的效率。同时，Te -O键的解离可以直接导致主链在溶解度变化后破裂，从而实现高灵敏度阳性发育。该光抗剂仅由单个物质组成，小型聚合分子，并在极简主义设计下实现了完美的光孔特征，该特征为开发下一代EUV Photoresist提供了清晰可行的途径。